Your Cart
Cart0 prekė(s) - 0,00 € 0

  • Jūsų pirkinių krepšelis tuščias!

0
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 1
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 2
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 3
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 4
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 5
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 6
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 7
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC – nuotrauka 8
SAMSUNG

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

997,90 €
Be PVM: 824,71 €
Dalimis su ESTO
  • Likutis tiekėjo sandėlyje: Liko 3 vnt.
  • Prekės ženklas: SAMSUNG
  • Modelis: MZ-VAP4T0BW
  • Pakuotės svoris: 0,07 kg
  • Išmatavimai: 15 × 10 × 2 cm
  • Barkodas: 8806095811703
  • Prekės kodas: 379643
  • Gamintojo garantija (mėn.): 60
Atvyks iš partnerio sandėlio Pristatymas per 10–15 d. d.
997,90 € Be PVM: 824,71 €
  • 5 m. gamintojo garantijaPapildomai prie 2 m. teisinės garantijos
  • 14 dienų grąžinimasNepatiko? Grąžinkite be klausimų
  • Patogus atsiskaitymasKortele, Apple Pay, Google Pay, išsimokėtinai
  • Pristatymas visoje LietuvojeDPD į namus, paštomatai arba atsiėmimas Vilniuje
ĮsimintiPDF

Pagrindinės savybės

  • 4 TB M.2 PCI Express 5.0
  • Skaitymo laikas: 14800 MB/s 2200000 IOPS
  • Rašymo laikas: 13400 MB/s 2600000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Techninės įrangos šifravimas 256-bit AES
  • S.M.A.R.T. palaikymas TRIM palaikymas
  • Taikoma: Kompiuteriams / žaidimų konsolėms
Žymės: samsung m.2 ssd diskai , samsung m.2 ssd diska

Aprašymas

Breakthrough PCIe® 5.0 performance

Push PCIe® 5.0 performance to the max. 9100 PRO achieves lightning-fast sequential read/write speeds up to 14,800/13,400 MB/s, two times faster than 990 PRO. Leave Gen4 limits behind with random read/write speeds up to 2,200K/2,600K IOPS, only possible by Gen5.

Impressive processing power

Speed past productivity limits. Exhilarating random read/write speeds enable ultra-fast parallel processing for countless fragmented data, at up to 2,200K/2,600K IOPS. Experience superior output and instant loads for huge games, high-performance tasks, and even AI applications.

Rapid AI creation

Intelligence redefines performance. Defy your limits in work and play with an on-board AI PC and AI content generation, fuelled by 9100 PROs exhilarating random read/write speeds up to 2,200K/2,600K IOPS. Swift loads, smooth gameplay, seamless performance.

Exceptional performance at your fingertips

Elevate your competitive edge. Breeze through video editing, 3D art, and even long streaming sessions with the latest PCIe® 5.0 interfaces. Experience cutting-edge performance anytime, anywhere, on any device, and choose the storage you need with expansive capacity up to 8TB.

Extraordinary thermal efficiency

Peak performance, uninterrupted. The advanced 5nm controller power architecture enhances power efficiency up to 49% over 990 PRO. Exceptional thermal control ensures nothing disrupts your flow, so you can keep the most demanding programs running with the max possible power of PCIe® 5.0.

Samsung Magician software

Make your SSD work like magic. Samsung Magician software's optimisation tools ensure the best SSD performance. It's a safe and easy way to migrate all your data for a Samsung SSD upgrade. Protect valuable data, monitor drive health, and get the latest firmware updates.

Bringing innovations to life

For decades, Samsungs NAND flash memory has powered groundbreaking technologies that have changed every part of our daily lives. This NAND flash technology also powers our consumer SSDs, making room for the next big push of innovation.

PCIe® 5.0 Performance

Max 14,800/13,400 MB/s sequential speeds,two times faster than 990 PRO.

Advance your gameplay

Mega capacity with exceptional compatibility.

Innovative Power & Thermal Control

Up to 49% enhanced power efficiency with advanced thermal control.

Parametrai

Savybės
SSD disko talpa 4 TB
SSD formos koeficientas M.2
Sąsaja PCI Express 5.0
NVMe Taip
Atminties tipas V-NAND TLC
Taikoma Kompiuteriams / žaidimų konsolėms
Techninės įrangos šifravimas Taip
„NVMe“ versija 2.0
Apsaugos algoritmų palaikymas 256-bit AES
M.2 SSD dydis 2280 (22 x 80 mm)
Skaitymo laikas 14800 MB/s
Rašymo laikas 13400 MB/s
Atsitiktinis skaitymas (4 KB) 2200000 IOPS
Atsitiktinis rašymas (4 KB) 2600000 IOPS
PCI „Express“ sąsajos duomenų keliai x4
DevSlp (prietaiso miego) palaikymas Taip
S.M.A.R.T. palaikymas Taip
TRIM palaikymas Taip
Vidutinis laikas tarp trikčių (MTBF) 1500000 h
Energijos valdymas
Darbinė įtampa 3,3 V
Energijos suvartojimas (skaitymas) 9 W
Energijos suvartojimas (rašymas) 8,2 W
Vidutinis energijos suvartojimas (nuskaitymas) 9 W
Vidutinis energijos suvartojimas (įrašymas) 8,2 W
Energijos suvartojimas (tuščiąja eiga) 0,007 W
Energijos suvartojimas DevSlp (prietaiso miegas) 5,7 mW
Svoris ir matmenys
Plotis 80,2 mm
Ilgis 2,38 mm
Aukštis 80,2 mm
Svoris 9 g
Pakuotės duomenys
Pakuotės tipas „Box“
Pakuotės plotis 143 mm
Pakuotės gylis 98 mm
Pakuotės aukštis 22 mm
Paketo svoris 65 g
Aplinkos sąlygos
Darbo temperatūros diapazonas (TT) 0 - 70 °C
Veiklos šokas 1500 G
Kitos savybės
Garantinis laikotarpis 5 metai

Gamintojo ir saugos informacija

Gamintojas Samsung Electronics Co Ltd Samsung-ro 129, 16677 Suwon-si, KR samsung.com
Atsakingas asmuo ES Samsung Electronics Iberia, S.A Avenida de Barajas 32, 28108 Alcobendas, ES samsung.com
Platintojas MB KOMPIUTERIŲ GURU V. Nagevičiaus g. 3, LT-08237 Vilnius [email protected]